雷擊不僅是一種常見的物理現(xiàn)象，也是電源適配器的主要電壓應力來源。如果保護不當會導致電源損壞或重新啟動，從而影響電子設備的正常運行。因此，電源適配器應滿足安全標準定義的雷電電壓等級要求。本期我們將分享雷擊浪涌標準、雷擊浪涌實驗配置、差模和共模干擾路徑分析和設計原則。

雷擊浪涌標準

IEC61000-4-5是常用的雷擊浪涌測試標準，其定義和實驗程序如下：

一般來說，在交流線上應用±1kV~±6kV浪涌電壓。試驗源是測試設備（EUT）交流線路與系統(tǒng)外殼的接地點。在測試過程中，EUT直接暴露在浪涌能量下，必須完好無損，雷擊試驗完成后，仍能繼續(xù)正常工作。

雷擊浪涌試驗的配置

圖3.差模雷擊示意圖

圖4.共模雷擊示意圖

雷擊浪涌發(fā)生器中有兩個模塊，即解耦網(wǎng)絡和耦合網(wǎng)絡。解耦網(wǎng)絡的功能是將耦合網(wǎng)絡應用于EUT相線上的雷擊能量與電源的相線隔離。耦合網(wǎng)絡的作用是通過耦合電容將理想的雷擊波應用到理想的雷擊波上EUT的相線上。

如圖3所示:差模雷擊的耦合能量EUT的相線L和N它們之間的傳遞。通過圖4，可以發(fā)現(xiàn)共模雷擊的耦合能量EUT的相線L（N）和PE之間傳遞。

圖5.差模雷擊電流示意圖

由于不同的實際電路配置會對系統(tǒng)差模雷擊分析產(chǎn)生不同的影響，所以我們簡要分析一下上圖電路對差模雷擊的影響。

通過耦合網(wǎng)絡輸入差模雷擊能量EUT的相線L和N，保險絲F1，和壓敏MOV1形成回路1，產(chǎn)生差模電流1；

通過回路1衰減差模雷擊能量后，通過熱敏電阻RT1、整流橋、電解電容EC1形成回路2，產(chǎn)生差模電流2；

通過回路1和2衰減差模雷擊能量后，通過差模電感L1，電解電容EC2形成回路3，產(chǎn)生差模電流3。

設計原則

MOV1的加入可以設計原則吸收差模電流1的能量，保護整流橋BD1和電解電容EC1和EC2.由于電路電流較大，回路1相當于雷擊浪涌能量的第一道防洪壩，PCB建議0銅箔寬度.5mm/kV;

負溫度系數(shù)熱敏電阻RT1的加入可以分享差模電流2EC保護整流橋上的能量BD1和電解電容EC1、回路2相當于第二道防洪壩；

輸入差分模電感器的阻抗可以共享差分模電流3EC2上的能量，回路3相當于第三道防洪壩，因為EC2上面有幾百伏擊能量殘余壓力，因此建議原側功率管采用高雪崩耐量功率MOSFET。

實驗結果

基于PN8390的12V1.5A適配器，4kV（90°）差模雷擊試驗如下圖所示：

圖6.4kV差模雷擊測試波形圖

可見測試波形：EC1最高電壓756V，EC2最高電壓556V，PN8390最高電壓779V。因此，為了提高電源適配器的抗差模雷擊能力，除了合理選擇MOV和NTC除電阻外，還應選擇高鋁箔電壓電解電容和高雪崩電阻功率MOSFET。

共模干擾路徑分析和設計原則

圖7.雷擊共模電流流向圖

當發(fā)生共模雷擊時，兩個主要的共模電流路徑(以負電壓為例)：

共模電流1:雷擊能量應用于輸出的地方，通過輸出共模電感→次級參考地→CY1→正輸入電解電容→整流橋→輸入共模電感→L線或N線。

共模電流2:雷擊能量應用于輸出地，通過輸出共模電感→次級參考地→正輸出電解→變壓器→地面輔助繞組→負輸入電解電容→整流橋→輸入共模電感→L線或N線。

設計原則考慮共模電流路徑因素，優(yōu)化共模電流路徑因素PCB接線：輸入共模和Y電容增加放電針，輸入電解電容負極分別連接到原控制器地面和變壓器地面，輸出電解電容負極分別連接到同步整流芯片地面和Y電容地面；

為防止同步整流芯片干擾共模電流，優(yōu)先選擇雙供電同步整流芯片，如PN8309H，并在Vin腳串聯(lián)10~22Ω電阻；

為防止共模電流干擾原主控芯片，應在Vdd電源電路串聯(lián)電阻，將Vdd電解電容靠近芯片引腳，增加100個nF去耦電容。

基于實驗結果PN8309H的12V3A適配器6.6kV共模雷擊試驗如下圖所示：

圖8.6.6kV共模雷擊測試波形圖

可以看到雷擊浪涌測試波形，PN8309H的SW，Vin，Vcc電壓分別為161V，25V，19V。因此，為了提高電源適配器的抗共模雷擊能力，除了合理Layout除了增加濾波電容外，還優(yōu)先考慮雙供電和集成高雪崩耐量MOSFET同步整流芯片。

電源防雷能力設計是困擾許多電源工程師的難題之一。設計原則是合理的PCB布線，加上更好的設備選擇。一旦發(fā)生雷擊失敗，就需要結合原理分析和器件特性，找出根本原因并加以改進。

推薦型號：

雷擊/浪涌發(fā)生器

CWG 520: 3x400V / 16A

CWG 1500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV

CWG 2500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV / 觸摸屏

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